![苏州纳睿光电有限公司](http://img.czvv.com/logo/4f58d6d5e588376b0feb94f2/4f58d6d5e588376b0feb94f2.png)
苏州纳睿光电有限公司 main business:半导体光电器件的技术研发;半导体光电器件、应用系统产品的销售及相关技术服务咨询;从事上述商品及技术的进出口业务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动) and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 91320594586694942W
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- 在业
- 有限责任公司
- 2011年12月12日
- 张书明
- 151.9584万元人民币
- 2011年12月12日 至 2021年12月11日
- 苏州工业园区市场监督管理局
- 2016年01月28日
- 苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
- 半导体光电器件的技术研发;半导体光电器件、应用系统产品的销售及相关技术服务咨询;从事上述商品及技术的进出口业务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN102545058B | 一种氮化镓基激光器外延结构及其制作方法 | 2013.10.09 | 本发明公开了一种新型氮化镓基激光器外延结构的制备方法,包括如下步骤:(a)在衬底上外延生长一层GaN |
2 | CN102299482B | 氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法 | 2013.06.19 | 本发明公开了一种新型氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法,本发明采用Al组分渐变的p-AlGaN |
3 | CN102570308A | 一种氮化物半导体激光器 | 2012.07.11 | 本发明公开了一种氮化物半导体激光器,从下至上依次包括GaN衬底,n-GaN层,n-AlGaN/GaN |
4 | CN102545051A | 一种氮化镓基激光器管芯的制备方法 | 2012.07.04 | 本发明公开了一种氮化镓基激光器管芯的制备方法,包括如下步骤:1)在衬底上外延生长N型GaN电极接触层 |
5 | CN102545058A | 一种氮化镓基激光器外延结构及其制作方法 | 2012.07.04 | 本发明公开了一种新型氮化镓基激光器外延结构的制备方法,包括如下步骤:(a)在衬底上外延生长一层GaN |
6 | CN102545041A | 半导体激光器腔面镀膜陪条及其制备方法 | 2012.07.04 | 本发明公开了一种半导体激光器腔面镀膜陪条及其制备方法,镀膜陪条用于激光器巴条镀膜时将两激光器巴条间隔 |
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